IGBT芯片互连常用键合线材料特性

1. 铝线键合

铝线键合是目前工业上应用最广泛的一种芯片互连技术，铝线键合技术工艺十分成熟，且价格低廉。铝线根据直径的不同分为细锡线和粗铝线两种，直径小于100um的铝线被称为细铝线，直径大于100um小于500um的铝线被称为粗铝线。粗铝线键合实物如图1所示。

粗铝线的载流能力比细铝线强，直径为500um的粗铝线可承受直流约为23A的电流。铝的热膨胀系数为23×10-6K-1，与硅芯片的热膨胀系数相差较大，在长时间的功率循环过程中会在封装体内积累热量，使模块温度升高，产生并积累热应力。很容易使键合引线断裂或键合接触表面脱落，最终导致模块的整体失效。在通流能力要求较高的情况下，引线的数目过于庞大，会造成键合接触表面产生裂纹。

为了提高键合引线的载流能力，铝带键合技术逐步发展起来，铝带链合实物图。相比于铝线键合，铝带的横截面积大，可靠性高，不但提高了整体的通流能力，避免由于髙频工作时造成的集肤效应，而且还有效地减小了封装体的厚度。表面积较大，散热效果也比铝线要好。铝带键合由于导电性能好，寄生电感小，在频率高，电流大的工作情况下应用较为广泛，其缺点是不能大角度弯曲。

2. 铜线键合 铜线比铝线的电阻率低，导电性能好，热导率比铝线高，散热性能好。现在功率模块大多追求小体积、高功率密度和快散热，铜线键合技术得到了广泛的应用。铜线键合实物和铜带键合实物。

 铜线的通流能力强，直径400um的铜线可以承受直流约32.5A的电流，比铝线的载流能力提高了71%。铜线键合技术的缺点也十分明显。由于芯片表面多为铝合金，铜线在键合前需要在芯片表面进行电银或者沉积，不但增加了成本，而且增加了在生产过程中复杂程度。铜材料的热膨胀系数较大，与芯片不匹配，在功率循环工作条件下，产生的热应力累积，容易使键合引线脱落或芯片表面产生裂痕。

3. 铝包铜线键合

 综合考虑铝线与铜线的优缺点，研发人员研制了一种新型键合线，在铜线外层包裹一层厚度约为25~35um的铝。铝包铜线如图4所示，由于其表面为铝材料，在键合时不需要事先对芯片表面进行化学电镀处理，提高了系统的可靠性。铝包铜线的导电性能和导热性能均比铝线要好，增加了键合引线的可靠性，提高了IGBT功率模块的使用寿命。

4. 金线/银线键合

 金线键合技术主要应用在集成度较高的IC芯片封装中，金线的热导率较高，散热效果好，电阻率比铝线低，导电性强。金线的膨胀系数为14.2×10-6K-1，为所有常用键合金属材料中最低的，与硅芯片的匹配性较其他键合材料要好。但由于其价格过于昂贵，限制了其在半导体封装中的广泛应用。

银键合线比金电阻率低，热导率高，故无论从导电性还是散热性都比较好，且其价格也相对较为便宜。银线的热膨胀系数较高，键合可靠性问题是需要着重考虑的。

 综上所述，不同材料的键合引线，其主要应用领域不同，均有一定程度的优缺点。线键合会有较大的寄生电感，多跟线键合时会有邻近效应和电流分配不均等问题。带键合虽然可有效地避免上述问题，但工艺难度增加，相应的增加制造成本。另外由于键合材料热膨胀系数不匹配引起的热应力积累，最终会影响功率器件的可靠性问题。因此在选择键合引线时需要综合考虑工艺、功率器件可靠性和成本等方面。