Views: 1 创始人: Site Editor Publish Time: 2025-05-21 Origin: Site
第一章 封装基板核心技术解析
1.1 结构功能与分类体系
封装基板(Substrate)作为芯片封装的关键中介层,承担着三大核心功能:(1)物理支撑与热管理;(2)电气互连桥梁;(3)系统集成平台。根据IEEE 2865标准,其技术分类体系可通过连接方式实现精准划分(见表1)。
表1 封装基板技术分类矩阵
IC-载板连接 |
载板-PCB连接 |
技术特点 |
典型应用场景 |
Wire
Bonding |
BGA |
成本低,成熟度高 |
低功耗MCU、存储芯片 |
Flip
Chip |
CSP |
高密度,信号完整性优 |
移动处理器、射频模组 |
1.2 Flip
Chip技术突破
相较于传统引线键合(Wire Bonding),倒装焊(Flip
Chip)通过铜柱凸块(Cu Pillar Bump)实现三维互连,具有显著优势: 密度提升:凸块间距可缩减至40μm,较WB提升5倍(数据来源:SEMI 2023报告);性能优化:传输路径缩短使信号延迟降低30%;可靠性增强:JEDEC JESD22-B104测试表明,FC抗机械冲击能力达1500G
第二章 制造工艺与材料创新
2.1 超精密加工要求
现代封装基板需满足"三高两小"技术指标(见表2),其线宽/线距(L/S)已进入微米级竞争阶段:
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->高端FC-BGA:L/S≤10μm
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->中端CSP:L/S≤20μm
表2 基板与HDI PCB关键技术参数对比
参数项 |
封装基板 |
普通HDI
PCB |
最小线宽 |
5-15μm |
50-100μm |
通孔直径 |
15-30μm |
100-200μm |
层间对准公差 |
±3μm |
±15μm |
2.2 材料体系演进
ABF(Ajinomoto Build-up Film)与BT(Bismaleimide Triazine)树脂构成当前基板材料两大技术路线:
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->ABF材料:介电常数(Dk)2.9-3.3 @10GHz;适用于16层以上高堆叠FC-BGA
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->BT材料:热膨胀系数(CTE)14ppm/℃;广泛应用于RF-SoC封装
第三章 市场格局与国产化路径
3.1 全球竞争态势
据Prismark 2023数据,封装基板市场呈现显著头部效应:
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->第一梯队:Ibiden(日本)、Unimicron(中国台湾)、SEMCO(韩国),合计市占62%
<!--[if !supportLists]-->· <!--[endif]-->中国大陆企业:深南电路(市占3.2%)、珠海越亚(2.1%)
3.2 本土化突破策略
国产厂商需实施"三步走"战略:
<!--[if !supportLists]-->1.
<!--[endif]-->产能爬坡:2025年前建成10万㎡/月FC-CSP产能
<!--[if !supportLists]-->2.
<!--[endif]-->技术突破:重点攻关10μm以下超细线路加工
<!--[if !supportLists]-->3.
<!--[endif]-->生态协同:与长电科技、通富微电等封测龙头共建产业联盟
第四章 未来技术趋势
4.1 Chiplet带来的变革
异构集成推动载板技术向"三增"方向发展: 面积增大:单个封装从800mm²增至1200mm²; 层数增加:从12L向16L演进;功能集成:嵌入硅桥(Silicon Interposer)实现2.5D互连
4.2 新材料突破方向: 低温共烧陶瓷(LTCC):适用于毫米波AiP天线封装;玻璃基板:有望将传输损耗降低至0.2dB/cm